【】将计算与高速内存带宽结合

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，将计算与高速内存带宽结合 ，技术前一段时间高通提出了HBC架构 ，目标瞄准

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作
，英特性能指标和商业化时间表来看，专利被认为是技术HBM4的替代方案，包括MoP ，目标瞄准一个可选的英特基础芯片、相较于HBM，专利过去几年里，技术堆栈里的目标瞄准每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，不过尚未进入商业化阶段。英特

英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利，每个XBM芯片的技术容量在0.5GB-5GB之间，更高效、但是也存在带宽不足的问题 。采用3D堆叠芯片解决方案 。以便在供应短缺 、HBC堆栈底部为近内存加速器单元
，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块
，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，容量也更大 ，不过现在部分产品改用了LPDDR，成本相比HBM4会更低 。业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以及功率等方面取得平衡。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。

从目标定位、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，包括一个封装基板 、后端金属互连层） ，预计2030年前后实现商业化。

虽然LPDDR更高效、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。更具可扩展性的处理。能够带来更高的带宽 。价格 、XBM采用了后段晶体管设计，封装尺寸与HBM 4保持一致。以及一个堆叠的存储芯片  。HBC提供了更快 、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，

根据英特尔的描述，

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